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（e）未处理、苗加EG处理以及EG-H2SO4处理薄膜表面的XPS图谱。邹进教授目前的研究方向包括：强针半导体纳米结构（量子点，纳米线，纳米带，超簿纳米片）的形成机理及其物理性能的研究。

多万图4c是实验测试得到的器件V-I曲线及其输出功率密度。成果简介在本文中，山东针对打印的PEDOT:PSS薄膜，山东我们提出了一种新的材料性能优化策略，结合了EG前处理和H2SO4以及TDAE后处理，实现了相对较高的功率因子（224µW∙m-1∙K-2）。